檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Chao-Chang Chen".ecommittee (精準) and year="109"
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在現今半導體晶片製程中，為達到更小的元件關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)，化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)逐漸成…
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溫度感測循跡微粒應用於溫度場與速度場可視化時，較高的螢光強度能增加訊號雜訊比以提升量測準確性，而量子點作為新興的溫度感測螢光材料，相較於傳統有機的溫度感測材料具有較高的螢光強度，因此本研究探討溫度感…
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本研究透過交錯式電極最佳化設計，以優化電致動力輔助化學機械平坦化製程(Electro-Kinetic Force Chemical Mechanical Planarization, EKF-CMP…
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單晶矽晶圓為半導體的重要元件，近年來，電子產品被大量使用而導致矽晶圓供不應求，而如何有效率增加矽晶圓的產量是一直以來關切的議題。本研究將延續先前電泳反應式鑽石線鋸製程，並研發一款選擇性電泳沉積(Se…
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本研究主要分析隱形眼鏡製程中，射出成形製造含菲涅爾微結構隱形眼鏡殼模及製備隱形眼鏡乾片及濕片造成之誤差對於隱形眼鏡的光學性能影響。分析形狀誤差(Form Error) Rt、平均Z軸位移量及微結構複…
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本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽，並與玻璃黏合為一體之觀測模型，經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…
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本研究 之目的 為 研發線上量測軟拋墊之 磨耗率 (Pad Wearing Rate, PWR)與 性能指標應用於化學機械拋光之製程 透過 先前 開 發之動態量測 拋光墊性能指標系統 以 自行研發 …
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…